产品名称
氮化硅陶瓷基板
产品简介
基于陶瓷材料技术所开发的氮化硅制品具有高强度，高韧性，高导热率，根据这些特性，产品被广泛用于要求拥有高信赖性材料的功率半导体基板领域。
产品询盘 
咨询热线: 0577-67000303
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氮化硅陶瓷基板
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基于陶瓷材料技术所开发的氮化硅制品具有高强度，高韧性，高导热率，根据这些特性，产品被广泛用于要求拥有高信赖性材料的功率半导体基板领域。
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氮化硅基板尺寸
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主要项目 |
规格 |
指标 |
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基板尺寸mm |
100*100，114.3*114.3 ,138*190.5 |
±0.1mm |
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基板厚度 |
0.254，0.32,0.5,0635,1.0 |
±0.02mm |
氮化硅产品性能：
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主要项目 ltem |
单位 Unit |
指标 Test Standard |
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颜色 Colour |
s…… |
灰色 |
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密度 Density |
G/cm3 |
3.22 |
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热导率 Thermal conductivity |
25℃ W/(m.k) |
80～85 |
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介电常数 Dielectric constant |
1 MHz |
8～10 |
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击穿强度 |
Kv/mm |
≥15 |
||
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抗折强度 Flexural Strength |
Mpa |
≥800 |
||
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维氏硬度 Vickers hardness |
Gpa |
≥15 |
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|
翘曲度 warpage |
(长边）‰ |
≤2 |
||
|
表面粗糙度 Surface roughness |
um |
0.2～0.4 |
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热彭胀系数 Coefficient of thermal expansion |
10-6 |
20～300℃ |
|
2.7 |
|
300～800℃ |
|
3.2 |
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体积电阻率 |
20℃.ù.cm |
≥1014 |
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基板材料特性
IGBT(绝缘栅双极型晶体管)
以新能源发电和工业驱动为代表的大功率应用需要可靠、可扩展、大功率密度、低杂散电感功率模块。为了满足这些需求，已经被认可并取得成功的HVIGBT LV100封装被引入工业领域应用。
IGBT(绝缘栅双极型晶体管)
以新能源发电和工业驱动为代表的大功率应用需要可靠、可扩展、大功率密度、低杂散电感功率模块。为了满足这些需求，已经被认可并取得成功的HVIGBT LV100封装被引入工业领域应用。
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