高热导氮化硅基板具有高导热、高机械强度、高电绝缘、良好的抗热冲击以及低膨胀等特点，其综合性能优于目前常用的氮化铝和氧化铝基板。氮化硅基板在大功率电力、电子器件上有广泛的应用前景，可应用在高铁、新能源汽车、LED照明、风力发电和航空航天等行业。目前国内相关技术水平落后导致国内相关市场被欧、美、日等国家所垄断。

    经过长时间研发，对材料组分设计、显微结构调控、成型及烧结工艺等各环节控制和优化，突破了大尺寸高热导氮化硅基板研制关键技术，成功研制了高稳定性高热导氮化硅基板。目前氮化硅基板平均热导率为95W/(m·k)，可达到120W/(m·k)，尺寸达到120×120mm2，厚度0.32mm，且外形尺寸能根据实际需求调整。同时实现了氮化硅基板的覆铜，打通了高热导氮化硅基板批量化生产的工艺路线。目前商用氮化硅陶瓷基片的热导率一般在80～90W/(m·k)，因此产品的性能指标能够满足很多人的需求。高热导氮化硅基板的研究成功，将为国产大功率半导体器件，特别是IGBT（绝缘栅双极型晶体管）的生产和研发提供有力支撑，预计将具有很强的经济效益和社会效益。